Bu buluşun amacı görünür dalgaboyu aralığı olan 380 nm - 780 nm aralığında, elektrik alana bağlı optik özelliklerin değişimi ile çalışan, hetero yapı içeren nano malzeme bulunduran bir kuvantum modülatörü (1) elde etmektir. Yaygın olarak kullanılan mevcut optoelektronik kuvantum modülatörlerinin çalıştığı dalgaboyu aralığı, yakın kızıl ötesi (1.55 Mm) bölgesidir. Bu buluş ile görünür dalgaboyu aralığında optik modülasyon ve darbe üretimi mümkün olmaktadır. Görünür dalgaboyu aralığında bulunan, silisyumun (Si) kısa soğurma özelliğini gösterdiği, mavi dalgaboyu aralığında (400 nm civannda), silisyum tabanlı elektronik devrelere, aynı teknoloji ile aynı malzemeden üretilen fotodetektörler aracılığı ile yüksek hızda (yaklaşık 10 GHz ve üstünde), doğrudan optik zamanlama sinyali sağlanması, bu modülatör sayesinde mümkün olmaktadır.